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参数目录39777
> NTD5865NLT4G MOSFET N-CH 60V 40A 16MOHM DPAK
型号:
NTD5865NLT4G
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
ON Semiconductor
描述:
MOSFET N-CH 60V 40A 16MOHM DPAK
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
NTD5865NLT4G PDF
产品目录绘图
MOSFET DPAK Pkg
标准包装
2,500
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
40A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
16 毫欧 @ 20A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
29nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1400pF @ 25V
功率 - 最大
52W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装
D-Pak
包装
带卷 (TR)
其它名称
NTD5865NLT4G-ND
NTD5865NLT4GOSTR
查看NTD5865NLT4G代理商
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